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電子顕微鏡、試料作製

 電界放射型透過型電子顕微鏡 200kV JEM-2010F (日本電子)

■用途

透過像観察(TEM)、高分解能観察、明視野(BF)・暗視野(DF)像観察、電子回折・制限視野回折
ナノビーム電子回折、収束電子回折、走査透過像(STEM)、高分解能明視野(BF)、暗視野(ADF)
高角度環状暗視野(HAADF)観察(準備中)、X線分析(EDS) 点分析・線分析、面分析
マッピング、電子エネルギー損失分析(EELS)、画像取込(Digital/Analog)、画像処理

■仕様

電子銃 熱電界放射型 ZrO/W(100) ショットキー方式
加速電圧 200kV (200kV 未満は不可)
ホルダー サイドエントリー方式
1軸傾斜/2軸傾斜/Be2軸傾斜
ポールピース URP22(超高分解能仕様)
球面収差係数Cs 0.5mm
色収差係数Cc 1.1mm
点分解能 0.19nm
ビーム径 2-5nm(TEM mode)
0.5-2.4nm (probe mode)
倍率 ×50 ~ ×1,500,000
最大傾斜角 ±17°(実用値)
背圧 電子銃 <1x10-7 Pa
鏡筒  <1x10-5 Pa

■備考

【付属機器】
JEOL社製 透過走査像観察装置(STEM) 【ASID EM-34010BU】
JEOL社製 YAP:Ce HAADF検出器 【EM-24010】
Gatan社製 BF/DF検出器* 【BF/DFModel 805】
Gatan社製 デジスキャン 【DigiscanModel 688】
Gatan社製 エネルギー損失分光分析装置* 【2D-DigiPEELS Model776】
Gatan社製 マルチスキャンカメラ* 【MSC Model 794】
EDAX社製 エネルギー分散型X線分析装置* 【Genesis】

■依頼、セルフ利用

申請名称:2010F
依頼分析申込
※本装置はセルフユーザー利用には開放しておりません

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 電界放射型球面電子収差補正電子顕微鏡 R005 (日本電子)

■用途

・超高分解能観察透過像観察(TEM)
  明視野(BF)、暗視野(DF)、電子回折、制限視野回折、ナノビーム電子回折、収束電子回折
・超高分解能走査透過像(STEM)
  明視野(BF)、暗視野(HAADF)
・電子エネルギー損失分析(EELS)
・画像取込 (Digital/Analog)、画像処理

■仕様

電子銃 冷陰極電界放出型電子銃(CFEG)
加速電圧 300kV、200kV、80kV
ホルダー サイドエントリー方式、最大傾斜角X/Y±25°
Quick1軸/強化1軸/強化2軸/加熱2軸/
Be_2軸傾斜(故障中)/他
ポールピース FHP(超高分解能仕様)
球面収差係数Cs -0.1~0.1mm
色収差係数Cc 1.5mm
分解能 0.1nm(TEM粒子)、0.1nm(STEM)
最小ビーム径 0.1nm
倍率 ×2K~×1.5M(TEM)、
×20K~×150M(STEM)
真空度 電子銃 ≦10-9 Paオーダー
鏡筒  ≦10-6 Paオーダー

■備考

【付属機器】
Gatan社製 デジスキャン【DigiScanⅡ788】
Gatan社製 エネルギー損失分光分析装置【GIF 865】
Gatan社製 ウルトラスキャンカメラ【USC Model 894】
日本電子製 高感度CCDカメラ【EM-CCD】*PC故障中、修理待ち中
日本電子製 ABF絞り装置
日本電子製 低加速観察装置
日本電子製 ピエゾ駆動試料移動装置

■依頼、セルフ利用

申請名称:R005
依頼分析申込
※本装置はセルフユーザー利用には開放しておりません

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 透過型電子顕微鏡 100kV JEM-1010BS (日本電子)

■用途

低加速電圧・高コントラスト観察

■仕様

電子銃 熱電子放出型 LaB6フィラメント
加速電圧 40 ~ 100kV
ホルダー サイドエントリー方式 1軸傾斜
ポールピース SAP10B
倍率 ×800 ~ ×600,000
最大傾斜角 ±20°

■備考


■依頼、セルフ利用

申請名称:1010
依頼分析申込
※本装置はセルフユーザー利用には開放しておりません

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 透過型電子顕微鏡 120kV H-7650 Zero.A (日立製作所)

■用途

低加速電圧・高分解能観察、デジタル撮影、電子線トモグラフィ(3D-TEM)

■仕様

電子銃 熱電子放出型 W-ヘアピンフィラメント
加速電圧 40 ~ 120kV
ホルダー サイドエントリー方式 1軸傾斜
分解能 0.204nm(格子像)
スポットサイズ 0.8-4um(HCモード)
0.6-2um(HRモード)
倍率 ×700 ~ ×200,000(HCモード)
×4,000 ~ ×600,000(HRモード)
最大傾斜角 ±60°
CCD画素数 1,024 x 1,024 pixel

■備考


■依頼、セルフ利用

申請名称:7650
依頼分析申込
セルフユーザー講習申込

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 電界放射型走査電子顕微鏡 SU9000 (日立ハイテク)

■用途

インレンズ対物式超高分解能電界放出型走査電子顕微鏡

■仕様

電子銃 冷陰極電界放出型
加速電圧 0.5kV ~ 30kV
二次電子分解能 0.4nm(ACC 30kV, 倍率800k)
1.2nm(ACC 1kV, 倍率250k)
STEM分解能 0.34nm(ACC 30kV)
検出器 二次電子検出器(SE/BSE)
低角度反射電子検出器
BF/DF Duo-STEM検出器
エネルギー分散形X線検出器

■備考

【付属機器】
AMETEK社製 エネルギー分散型X線分析装置
シリコンドリフト検出器(分解能129eV)
アナライザ GENESIS(AMETEK EDAX)
アクティブ磁場キャンセラ
除震台

■依頼、セルフ利用

申請名称:SU9000
依頼分析申込
※本装置はセルフユーザー利用には開放しておりません

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 電界放射型走査電子顕微鏡 S4700 (日立製作所)

■用途

高分解能観察、2次電子像観察、低加速観察、反射電子像観察、
X線分析(EDS)(Spot/Line/Mapping)、デジタル画像取り込み

■仕様

電子銃 冷陰極電界放出型電子銃
加速電圧 30kV
分解能 二次電子像 1.5nm
 (加速電圧15kV WD=12mm時)
反射電子像 3.0nm
 (加速電圧15kV)
倍率 ×25 ~ ×1,000,000
検出器 二次電子検出器、反射電子検出器、特性X線検出器
ワーキングディスタンス 5 ~ 30mm
画像寸法 150 × 135mm(観察時)
120 × 90mm(撮影時)
試料ステージ 最大φ100mm

■備考

【付属機器】
EDAX社製 エネルギー分散型X線分析装置 【Genesis】

■依頼、セルフ利用

申請名称:S4700
依頼分析申込
※本装置はセルフユーザー利用には開放しておりません

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 電界放射型走査電子顕微鏡 JSM-7500F (日本電子)

■用途

高分解能観察、2次電子像観察、低加速観察、反射電子像観察、デジタル画像取り込み

■仕様

電子銃 冷陰極電界放出型
加速電圧 0.5 ~ 30kV
二次電子分解能 1.0nm(加速電圧 15kV)
倍率 ×25 ~ ×1,000,000
検出器 二次電子検出器・反射電子検出器
作動距離(WD) 1.5mm ~ 25mm
試料ステージ 26mmφ

■備考

装置保護のため、観察に供する前に試料の予備排気が必要です。前日までに観察試料を持参し、事前処理及び予備排気を行ってください。

■依頼、セルフ利用

申請名称:7500F
依頼分析申込
セルフユーザー講習申込

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 走査電子顕微鏡 VE-9800 (キーエンス)

■用途

2次電子像観察

■仕様

電子銃 Wヘアピン型フィラメント
(アジャストメントフリーカートリッジ式)
分解能 8nm
倍率 ×15 ~ ×100,000
検出器 二次電子検出器
ワーキングディスタンス 5 ~ 30mm
画像寸法 260 × 195mm(観察時)
120 × 90mm(撮影時)
試料ステージ 最大φ64mm
 X:32mm, Y:32mm Z:8~30mm,
傾斜:-10~90°

■備考

【付属機器】
EDAX社製 エネルギー分散型X線分析装置【Genesis XM2】

用途
 定性・定量分析、マッピング・線分析

仕様
 検出器:SiLi検出器
 検出元素:B-Am
 分解能:136eV以下
 検出器素子面積:10mm2
 冷却方式:液体窒素
 制御用OS:Windows XP

■依頼、セルフ利用

申請名称:VE9800
依頼分析申込
セルフユーザー講習申込

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 集束イオンビーム試料加工装置【FIB】 JEM-9310FIB (日本電子)

■用途

イオン顕微鏡観察(2次電子像)
加工モード:矩形(一度に100μm × 100μm以下)、線、点
(TEM試料作製に重点を置いた装置なので複雑な微細加工はできません)

■仕様

電子銃 Gaイオン銃
加速電圧 5 ~ 30kV
プローブ径 8 ~ 1000nm
プローブ電流 1pA〜10nA
検出器 二次電子検出器
倍率 ×50(視野探し)X150 ~ ×300000
真空度 イオン銃室 5x10-6 Pa
試料室 5x10-5 Pa以上
試料ホルダ TEM用(最大3mmf)
バルク用(最大10mm × 10mm × 1mm)
デポ銃 カーボン

■備考

加工面の表面を保護する場合は、事前に真空蒸着機等でCやPt等を250nm程度蒸着して下さい。
SEM試料の加工、平滑な断面SEM試料の作製にも使用できます。
SEM試料は10mm × 10mm × 1mm以内であること。

【オプション】
バルク試料等からFIB加工したTEM用切片をピックアップするためのシステムを導入しています。

■依頼、セルフ利用

申請名称:FIB
依頼分析申込
セルフユーザー講習申込

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 集束イオンビーム試料加工装置【FIB】 FB-2100(日立ハイテク)

■用途

走査イオン顕微鏡(SIM)像観察
極微細加工

■仕様

電子銃 Gaイオン銃
加速電圧 10 ~ 40kV
プローブ径 8-1000nm
プローブ電流 30nA
像分解能 6nA
検出器 二次電子検出器
倍率 ×700 〜 ×90,000
試料ホルダ ステージホルダー
(5mm × 9mm × 2.4mmt)
デポ源 タングステン

■備考

マイクロサンプリング機構搭載
バルクステージ上の加工可能領域(2mm × 7mm)

■依頼、セルフ利用

申請名称:FIB
依頼分析申込
※本装置はセルフユーザー利用には開放しておりません

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 走査型プローブ顕微鏡【SPM】 SPM-9600 (島津製作所)

■用途

AFMでは試料表面と探針との原子間力を検出して高さ方向の変位測定が可能です。
KFMにおいては試料表面と探針との間に働く電気力を検出することにより試料表面の電位を測定することが可能です。
固体試料表面の凹凸情報を数百~数nmオーダーで像化することができます。

■仕様

分解能 水平 0.2nm / 垂直 0.01nm
測定モード AFM(コンタクト/ダイナミック/位相/電流)
KFM(表面電位)
スキャナ駆動素子 チューブ型ピエゾ素子
スキャナ走査範囲
(X・Y・Z)
30 × 30 × 5μm
125 × 125 × 7μm(オプション)
Z軸粗動機構最大可動範囲 10mm
試料最大形状 Φ24mm × 8mm

■備考

セルフユーザー利用のみ(講習はセルフユーザー講習参照のこと)

■依頼、セルフ利用

申請名称:SPM
※本装置は依頼分析を受け付けておりません。
セルフユーザー講習申込

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 ウルトラミクロトーム・ウルトラクライオトーム【UMT・UCT】 (ライカ)

■用途

電子顕微鏡による観察のための高品質な断面作製及び切片(超薄切片)の切り出し

■仕様

切削方式:重力ストロークシステム
付属装置:クライオユニット Leica EMFCS
     静電気除去装置 DiATOME STATIC LINE II
 

■備考


■依頼、セルフ利用

申請名称:UMT
依頼分析申込
セルフユーザー講習申込

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 クロスセクションポリッシャー【CP】 SM-09010CP・SM-09020CP (日本電子)

■用途

電子顕微鏡などの試料作製。Arイオンビームで試料の断面加工を行う。

■仕様

イオン加速電圧 2 ~ 6kV
イオンビーム径 500μm(半値幅)
ミリングスピード 200μm/2H
(加速電圧:6kV、シリコン換算、エッジ距離:100μm)
最大搭載試料サイズ 幅11mm × 長さ10mm × 厚さ2mm
試料移動範囲 X軸:±3mm 、Y軸:±3mm

■備考

当部門では2台のCPを保有しており、そのうちの1台をセルフユーザーに開放しています。

■依頼、セルフ利用

申請名称:CP
依頼分析申込
セルフユーザー講習申込

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 低角度イオンポリッシングシステム Model 691 (Gatan)

■用途

TEM試料の低角度高速イオン研磨装置

■仕様

イオン源 Arイオン ペニング型イオン銃
イオンエネルギー 1 ~ 6keV
ビーム径 FWHM 350um (5keV)
イオン電流密度 10mA/cm2/銃
ビーム照射角 0° ~ ±10°(±0.2°)
真空系 ダイヤフラムポンプ
ターボ分子ポンプ
背圧 < 1x10-6 torr
モニタリング カラーCCDカメラシステム
倍率 550 ~ 2600倍(20インチモニタ)

■備考


■依頼、セルフ利用

試料作製装置類の依頼・セルフ利用については(soudan @ cama. titech. ac. jp)へお問い合わせください。

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 超音波ディスクカッター Model 601 (Gatan)

■用途

研削剤を超音波振動させて2.3/3mmφのディスク状、または4mmx5mmの矩形状に打ち抜きTEM試料とする

■仕様

振動子 PZT圧電結晶
周波数 28kHz
ブレード 3mmΦ、2.3mmΦ、4mmx5mm
研削剤 #320ボロンカーバイド
切削深さ 最大5mm

■備考


■依頼、セルフ利用

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 ディンプルグラインダー Model 656 (Gatan)

■用途

イオンミリング法によるTEM試料の最終機械研磨
試料ディスクの縁を厚くしたまま凹面上に研削、鏡面研磨して中心付近のみを5~20ミクロン程度に薄片化する
イオンミリングの仕上がりの向上、ミリング時間の大幅な削減が可能

■仕様

初期試料厚さ 100um以下
最小加工厚さ 5 ~ 20um(試料に依存)
試料台回転速度 10rpm
厚さ制御 ディジタル/アナログマイクロメータ
(精度1um)
実例 Si 5 ~ 10nm
   酸化物(MgO SrTiO3)10 ~ 20nm
センタリング精度 ±10um
荷重 0-40g
研削工具 球面(真鍮/SUS)15mφ
平面(真鍮)15mφ
研削剤 2 ~ 4umダイヤモンドペースト
研磨工具 フェルト
研磨剤 50nmアルミナスラリー
試料観察 x40光学顕微鏡 反射光/透過光

■備考


■依頼、セルフ利用

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 真空蒸着装置 JEE-420T (日本電子)

■用途

電子顕微鏡などでの分析・高分解能観察に適したカーボン膜、各種金属蒸着膜の作製、非導電性材料への導電膜の作製、シャドーイングなど

※電子顕微鏡試料作製に特化した装置です。一般的な製膜装置としての機能は有しておりません。
 蒸着源は炭素のみ用意しております。他の蒸着源は利用される方にて御用意願います。

■仕様

到達圧力 1×10-4 Pa 以下
ベルジャ 250T × φ250mm ガラス製
蒸着用電極 2組
ヒーター用電極 AC10V、50A
真空系 ロータリーポンプ 100L/min
ターボ分子ポンプ 230L/s 空冷

■備考


■依頼、セルフ利用

試料作製装置類の依頼・セルフ利用については(soudan @ cama. titech. ac. jp)へお問い合わせください。

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 マグネトロンスパッタコーター E-1030 (日立製作所)

■用途

非導電性のSEM試料を,Pt-Pdで被覆し導電性を付与する

■備考


■依頼、セルフ利用

試料作製装置類の依頼・セルフ利用については(soudan @ cama. titech. ac. jp)へお問い合わせください。

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 カーボンコーター VC-100W (真空デバイス)

■用途

試料表面に導電性付与や保護膜としてカーボンを被覆する

■備考


■依頼、セルフ利用

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 凍結試料作製装置 JFD-9010 (日本電子)

■用途

急速凍結されたエマルション、含水、含油試料、軟試料などを凍結されたまま真空中で割断、エッチング、蒸着するレプリカ作製装置
各種金属蒸着膜の作製、非導電性材料への導電膜の作製シャドーイングなど
キーワード:フリーズフラクチャー法、フリーズエッチング法、抽出レプリカ法

■仕様

試料室圧力 5×10-5 Pa 以下
ビーム蒸着 Pt-C,C 2極切換方式
試料台 温度コントロール +50℃ ~ -170℃
自動制御、回転、傾斜

■備考


■依頼、セルフ利用

試料作製装置類の依頼・セルフ利用については(soudan @ cama. titech. ac. jp)へお問い合わせください。

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