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元素・分光分析装置

 ICP発光分析装置【ICP-OES】 5100 VDV ICP-OES (アジレント・テクノロジー)

■用途

水溶液中の微量元素の定量分析に用います。(検量線法使用)
ppm~ppb レベルの測定が可能で、多元素同時測定ができます。

■仕様

ICPイオン化部 Arプラズマ
周波数 27MHz
測光方式 Dual 方式
Axial(軸方向) / Radial(動径方向)
測定波長 167 - 785nm
システム分解能 0.007 nm
測定濃度範囲 10ppb - 100ppm (-1000ppm)
下限・上限は元素や測定条件によって大きく変わります。
特殊溶液 フッ酸溶液対応
測定可能な元素表中の73元素を定量・定性分析できます。
(ただし検出感度は元素によって違います)

■備考

原則として液体測定です。試料は溶解して測定します。
容量は最低で 10ml 必要です。
水素、炭素、酸素、窒素、フッ素、希ガス等は測定できません。

■依頼、セルフ利用

申請名称:ICP - OES
依頼分析申込
セルフユーザー講習申込

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 ICP質量分析装置【ICP-MS】 7700x (アジレント・テクノロジー)

■用途

水溶液中の超微量元素の定量・半定量分析、同位体元素の存在比に用います。
ppb レベルの測定が可能で、多元素同時測定が可能です。

■仕様

ICPイオン化部 Arプラズマ
周波数 27.12MHz
最大出力 1.6kW 以上
質量分離部 四重極型(Qポール型)
質量範囲 2-260amu
ダイナミックレンジ 1x109
真空系 3段差動排気
定量可能濃度 ppt-1000ppb
(元素や測定環境に依存 通常100ppt-100ppb)

■備考

原則として液体測定です。試料は溶解して測定します。容量は最低で5ml 必要です。
Si,P,S,Cl,Br,I は分子イオン干渉、イオン化ポテンシャルが高いため、測定は困難です。
水素、炭素、酸素、窒素、フッ素、希ガス等は測定できません。

■依頼、セルフ利用

申請名称:ICP - MS
依頼分析申込
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 レーザー顕微ラマン分光光度計【RAMAN】 NRS-4100 (日本分光)

■仕様

光源 ダイオードレーザー 532 nm
ステージ マニュアルステージ
波数分解能 2 cm-1/pixel
同時測定範囲 100 ~ 3900 cm-1

■依頼、セルフ利用

申請名称:RAMAN
依頼分析申込
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 フーリエ変換赤外分光分析【FT-IR】 JIR-SPX200 (日本電子)

■用途

分子や結晶の極性振動の測定による、官能基の同定、分子中の構造、半導体中の不純物、表面酸化膜、透過測定、高感度反射測定(RAS)、全反射測定(ATR)ができます。

■仕様

光源 自然空冷型高輝度セラミックス光源
干渉計 形 式: マイケルソン型
入射角:15°
移動鏡:エアーベアリング
測定ユニット 透過測定ユニット
高感度反射測定(RAS)ユニット
全反射測定(ATR)ユニット
Ge60°結晶板

■備考

高感度MCT使用時は液体窒素による冷却が必要です
液体窒素は用意してありますが常時冷却していません.使用前に入れてください.
原則として解析はユーザーの方でお願いいたします(解析ソフトは付属してます)

■依頼、セルフ利用

申請名称:FT - IR
依頼分析申込
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 電界放射型電子銃オージェ分光装置【FE-Auger】 JAMP-9500F (日本電子)

■用途

Li~Uまでの元素測定、深さ方向の分析
付属の中和銃を使用することで絶縁体の測定が可能
高分解能分析が可能な電子照射系
※試料の状態により可能な分析内容は変わりますのでご相談ください。

■仕様

試料チャンバー 290mmφx150mmH
電子照射系 電子銃:ショットキーフィールドエミッション電子銃
エミッタ:ZrO/W<100>陰極
加速電圧:0.5~30 kV
プローブ電流量:10-11~2×10-7 A
二次電子像分解能:3 nm(25 kV、10 pA)
オージェ分析時プローブ径:8 nm(25 kV、1 nA)
倍率:×25 ~ ×500,000
作動距離:24 mm(固定)
検出系 二次電子検出器
反射電子検出器
半導体型反射電子検出器
画像出力
 組成像(COMPO) 凹凸像(TOPO)
オージェ電子分光系 アナライザ 同心半球形静電アナライザ(HSA)
検出器系 チャンネルトロン(7ch)による多重検出
分析エネルギー範囲 0~2,500 eV
動作モード 減速比一定モード(CRR)
およびパスエネルギー一定モード(CAE)
エネルギー分解能(△E/E) 0.05 ~ 0.6 %
イオン銃(中和およびエッチング) イオン化方式 磁場重畳電子衝撃形
イオン引出方式 フローティング方式
イオン加速電圧 0.01~4 keV
イオン種:アルゴン
試料ステージ 駆動範囲
X:±10 mm、Y:±10 mm、Z:±6 mm
T:0~55゜
(高傾斜用試料ホルダ使用時 0~90°)
R:360゜(制限なし)
試料サイズ 最大 20 mmΦ×5 mmH 

■備考

参考
本装置を使用した測定例 (PDF書類 0.4MB)

分析事例
AESを用いた積層膜の深さ方向分析

GD-OES、TOF-SIMS、AESを用いた積層膜の深さ方向分析(PDF書類 0.7MB)

■依頼、セルフ利用

申請名称:AUGER
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 電子プローブマイクロアナライザー【EPMA】 JXA - 8200 (日本電子)

■用途

2次電子像観察,反射電子像観察
X線分析(WDS)(Spot/Line/カラーマッピング)
デジタル画像取り込み
B,C,N,O専用分光結晶を含む5Ch10結晶の分光結晶によりB(5)-U(92)の分析可能。(放射性元素は扱えません)

■仕様

電子銃 LaB6電子銃
加速電圧 5-30kV
分解能 二次電子像 1.5nm
(加速電圧15kV WD=12mm時)
反射電子像 3.0nm(加速電圧15kV)
倍率 ×50~×200000
検出器 二次電子検出器、反射電子検出器、特性X線検出器
ワーキング
ディスタンス
11mm
検出器 5ch Xeガス封入型/ガスフロー型比例計数管
分光結晶 10結晶
 TAP/TAPH/PET/PETH/LiF/LiFH/
 STE/LDE1H/LDE2H/LDE5H
試料ステージ 25mmφx9個

■備考

マッピングのためには試料表面がμmオーダーで平滑である必要があります.

■依頼、セルフ利用

申請名称:EPMA
依頼分析申込
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 飛行時間型二次イオン質量分析装置【TOF-SIMS】TOF-SIMS 5-100-AD(ION-TOF GmbH)

■用途

試料表面の有機物、無機物の定性分析
試料の深さ方向の組成分析
ミクロンオーダーより大きい凹凸のある試料に対しても分析可能

■仕様

測定イオン H,Heを含む全ての元素の測定が可能
質量分解能 11,000@29u (FWHM)
一次イオン照射系 一次イオン種:Bi1+,Bi3+,Bi3++
ビーム電圧 15~30kV
イオンビーム電流 20nA以上
最小ビーム径 100nm
スパッタイオン銃系 スパッタリングイオン源 Cs/O2
加速エネルギー 0.2~2.0kV
自己補償型帯電補正機能付き
試料導入・ステージ系 5軸(X,Y,Z,回転,チルト)ステージ

■備考

参考
本装置を使用した測定例  (報告提供 材料工学専攻 中村・史研究室) (PDF書類 0.5MB)

分析事例
TOF-SIMSを用いた積層膜の深さ方向分析

GD-OES、TOF-SIMS、AESを用いた積層膜の深さ方向分析(PDF書類 0.7MB)

■依頼、セルフ利用

申請名称:TOF - SIMS
依頼分析申込
※本装置はセルフユーザー利用には開放しておりません

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